半導体や各種センサ等の製造に用いられるシリコンウェーハについて、Mipox受託研磨はプライムウェーハ製造の各工程～デバイス製造（前工程・後工程）～リクレーム（再生）用途まで、各用途（各工程・ご要求）毎に自社製研磨材を用いた独自の加工方法を中心に、様々なご要望に対応出来る体制を整えております。
材料（材質）名：
Si、シリコンウエーハ各種、各種接合（貼り合わせ）ウェーハ、SOI、デバイスウェーハ（パターンウェーハ）、再生ウェーハ 等
・プライムウェーハ製造用途
アズスライスウェーハへのチャンファー形成等の一般的な面取り加工用途から、CVD成膜後のエッジ不要膜除去（マスキング処理＋HFエッチング代替）、ノッチ部の研削痕（ダメージ）除去、テラス形成加工等に対応しております。 特にエッジ部CMP（スラリー方式によるエッジミラー工程）負荷を大幅に軽減させる効果を得られる中間工程「研磨フィルム式エッジポリッシュ」は多くの実績を有しており、量産でのご依頼に対応できる体制を整えております。
・デバイス製造（後工程）用途
保護フィルム（BGテープ）貼付け加工～薄化研削工程（BG）でのウェーハ破損防止に効果を発揮するエッジトリミング加工をはじめ、BG～洗浄～テープ剥離～ダイシング～トレー詰めに至るまで一貫してお受け致します。また、薄化工程に用いられる無アルカリガラス製等のサポート基板のエッジ部修正（リペア）加工や、パワー半導体用途でのニーズが多いBG後のエッジ面取り（破損防止）加工も承っております。
・リクレーム（再生）用途
シリコンウェーハ再生の工法として一般的なエッチング方式での脱膜が困難なカーボン系の膜や、除去に手間がかかるEpi膜等が絡むエッジ部の処理について、Mipox受託研磨は、独自の研磨フィルム方式による脱膜処理を適用し、量産対応可能な体制を整えております。 また、膜表面に微細な歪（ダメージ）を付加する事でエッチング処理効率を向上させる「エッチングアシスト処理」にも対応しております。
