半導体結晶内部の欠陥（貫通転位）を​ウェーハ全面で観察可能な新機能を搭載した結晶転位高感度可視化装置「XS-1G」がリリースされました。

従来は観察視野ごとのスポット観察でデータを取得しておりましたが、今回のアップデートでは取得したデータをオンタイムで連結することでウェーハ全面をシームレスで観察することが可能となりました。ウェーハ面内の欠陥（歪み）がマッピング可能なため、その部分を避けたデバイス製造も実現でき、歩留まりの向上などが期待できます。XS-1Gでは可視光を用いた非破壊偏光観察を行うため、大掛かりな設備が必要なX線トポグラフィ法などに比べスピーディな観察が可能であり、また特別な資格等も必要ありませんので検査機関等へ持ち込む際の数週間～数か月の順番待ちの問題も解消致します。観察対象と致しましては今後主流となるSiCウェーハのサイズ規格2～6インチ（今後8インチに拡張予定）に対応のほか、SiCに限らず、GaN、AIN等の可視光を透過する半導体材料や、SEMI規格のウェーハ以外の形状、サイズ（破片・小片等）にも対応可能です。現段階では不透明基板は非対応ですが、現在光源に赤外線を用いたXS-1VerUPを計画しており、SiやInPなどの不透明基板むけの開発を進めて参ります。

同装置を用いたお客様の試料の受託観察も請けおっておりますので、CSE IS室まで​ご相談、お問い合わせください。

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結晶転位高感度可視化装置「XS-1」： https://product.mipox.co.jp/products/observation/item_30