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エッジ研磨:ウェーハエッジ研磨

ウェーハエッジ加工に
求められる要件

半導体の機能向上を目的としたウェーハ薄化技術(バックグラインド技術)の進化に伴い、半導体のエッジ部分にナイフエッジと呼ばれる鋭利な形状が発生し、加工時のチッピングやひび割れといったウェーハの破損が多くみられるようになりました。これを防ぐために台形又は曲面の形状である半導体のエッジの部分がナイフエッジ形状にならないように事前に整えることをウェーハエッジ研磨加工といいます。
ウェーハエッジ研磨にはダイヤモンド砥石を使う研削方式や、ブレードを使用した切断方式等がありますが、それらはナイフエッジの形状は解消するものの、BGテープ(デバイス面保護テープ)の粘着材やはみ出た部分によるウェーハ本体への負荷や生産性の低下の問題を残す方法となっています。

ウェーハ製造工程例

Step 1

スライシング :インゴットを切断する。

Step 2

べべリング :面取り加工。破損を防ぐ。

Step 3

ラッピング :ウェーハ両面を削り、厚さを調整する。

Step 4

エッチング :電解処理。破損を防ぐ。

Step 5

ポリッシング :表面の凹凸を除去する。

Step 6

ウェーハエッジ研磨:ナイフエッジ化を防ぐためエッジ部を整える。

Step 7

バックグラインド加工 :ウェーハ裏面を削り、厚さを調整する。

Step 8

洗浄・検査

Mipoxのウェーハエッジ研磨加工「フィルム研磨方式」

「従来のプロセス(エッジ研磨無し)」

「従来のプロセス(エッジ研磨無し)」

「Mipoxのウェーハエッジ研磨加工」

「Mipoxのウェーハエッジ研磨加工」

Mipoxのウェーハエッジ研磨工程では、ウェーハのエッジ部の形状とBGテープを同時に除去(特許第4463326号)することを特徴とした“研磨フィルム方式”を採用し、接合研磨や最終仕上げ工程前のパーティクル除去、エッジ部の面取り加工にも対応しております。
研磨フィルムの特性である柔らかさによって研磨加工時に於けるウェーハへの負担を軽減し、独自で開発したエッジ研磨装置の柔軟性によってご要望の形状にエッジ部を実現致します。また、Mipoxでは研磨材総合メーカーとして半導体用途によって異なるウェーハの素材(SiC、GaN、化合物半導体等)に合わせた研磨フィルムを選定することが可能です。

BGテープの粘着材やはみ出た部分の除去

高バンプウェーハに対応した相当の厚さをもつBGテープは粘着材がウェーハからはみ出やすく、それはウェーハ本体の破損の要因となるため除去することが求められます。

BGテープの粘着材やはみ出た部分の除去

ウェーハ接合時の位置ズレを除去

異種素材の2枚のウェーハを接合する際に生じた位置ズレによってはみ出したエッジ部を集中的に研磨加工を施し、ほぼ真円形状に復旧させる事が可能です。

ウェーハ接合時の位置ズレを除去

エピ膜による端面欠陥の除去

エピタキシャル膜(エピ膜)によって生じる端部欠陥の除去を、ウェーハ本体へのダメージを最小限に抑えるMipoxのフィルム研磨方式によって、少量から量産加工まで対応致します。

最終仕上げ前のパーティクル除去

エッジ部のパーティクル除去を行うことによって粗さを整え、最終仕上げ(液体研磨(スラリー)を使用した鏡面加工)でのコスト削減を実現します。

ウェーハのエッジ部の面取り加工

ウェーハの強度を上げるため、エッジ部の形状をSEMI規格に沿って成形する面取り加工を行います。フィルム研磨方式のため、ご要望の形状に仕上げることが可能です。

ウェーハのエッジ部の面取り加工

研磨サービスについてのお問い合わせ

研磨加工でお困りのことがあれば、お気軽にご相談ください。 高精度研磨加工を得意とするMipoxが課題に適した解決方法をご提案 いたします。

ウェーハエッジ研磨設備

次世代規格450㎜の半導体ウェーハに対し、Mipox独自の研磨フィルム方式を採用した研磨装置を開発。

エッジ研磨装置

エッジ研磨装置

Mipoxで開発したエッジ研磨装置は、研磨フィルムをウェーハの研磨箇所に対して均一に充てることが出来るため、安定した研磨加工を行うことが出来ます。
加工対応径: 18”(450mm)、 12”~2”各サイズ、及び ハーフインチ(SEMI規格サイズにも対応)

スクラブ型ウェーハ洗浄機

スクラブ式洗浄機能の採用により、研磨処理(脱膜処理)後の次工程へスムーズに投入することが出来ます。
加工対応径: 18”(450㎜)、12"~6”各サイズ

スクラブ型ウェーハ洗浄機

研磨ラボPolish Lab

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