半導体の機能向上を目的としたウェーハ薄化技術（バックグラインド技術）の進化に伴い、半導体のエッジ部分にナイフエッジと呼ばれる鋭利な形状が発生し、加工時のチッピングやひび割れといったウェーハの破損が多くみられるようになりました。これを防ぐために台形又は曲面の形状である半導体のエッジの部分がナイフエッジ形状にならないように事前に整えることをウェーハエッジ研磨加工といいます。
ウェーハエッジ研磨にはダイヤモンド砥石を使う研削方式や、ブレードを使用した切断方式等がありますが、それらはナイフエッジの形状は解消するものの、BGテープ（デバイス面保護テープ）の粘着材やはみ出た部分によるウェーハ本体への負荷や生産性の低下の問題を残す方法となっています。
スライシング ：インゴットを切断する。
べべリング ：面取り加工。破損を防ぐ。
ラッピング ：ウェーハ両面を削り、厚さを調整する。
エッチング ：電解処理。破損を防ぐ。
ポリッシング ：表面の凹凸を除去する。
ウェーハエッジ研磨：ナイフエッジ化を防ぐためエッジ部を整える。
バックグラインド加工 ：ウェーハ裏面を削り、厚さを調整する。
洗浄・検査
「従来のプロセス（エッジ研磨無し）」
「Mipoxのウェーハエッジ研磨加工」
Mipoxのウェーハエッジ研磨工程では、ウェーハのエッジ部の形状とBGテープを同時に除去（特許第4463326号）することを特徴とした“研磨フィルム方式”を採用し、接合研磨や最終仕上げ工程前のパーティクル除去、エッジ部の面取り加工にも対応しております。
研磨フィルムの特性である柔らかさによって研磨加工時に於けるウェーハへの負担を軽減し、独自で開発したエッジ研磨装置の柔軟性によってご要望の形状にエッジ部を実現致します。また、Mipoxでは研磨材総合メーカーとして半導体用途によって異なるウェーハの素材（SiC、GaN、化合物半導体等）に合わせた研磨フィルムを選定することが可能です。
次世代規格450㎜の半導体ウェーハに対し、Mipox独自の研磨フィルム方式を採用した研磨装置を開発。
Mipoxで開発したエッジ研磨装置は、研磨フィルムをウェーハの研磨箇所に対して均一に充てることが出来るため、安定した研磨加工を行うことが出来ます。
加工対応径： 18”（450mm）、 12”～2”各サイズ、及び ハーフインチ（SEMI規格サイズにも対応）
スクラブ式洗浄機能の採用により、研磨処理（脱膜処理）後の次工程へスムーズに投入することが出来ます。
加工対応径： 18”（450㎜）、12"～6”各サイズ
半導体に使用される材料の表面・エッジ研磨から、3Dプリント造形物の表面平滑化処理に至るまで、様々な素材・加工対象物に対して研磨加工をするサービスです。ファインセラミックスなどの難削材を、接合用途に耐えうるまでに研磨加工するなど、技術力の高さには定評があります。
お客様の基材(フィルム等)や塗料材をお預かりし、弊社が保有する設備（調合、コーティング、スリット）を用いてフィルム化をするサービスです。弊社のコーティング処理は、Roll to Roll で搬送可能な基材にウェットコーティングで成膜する技術です。
