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平面研磨(CMP)・スラリー
平面研磨（CMP）
Mipoxの平面研磨（CMP）は、各種ウェーハ（基板）の平面研磨加工から、絶縁膜、メタル膜、樹脂膜などのCMPまで、幅広く対応しています。 小片やチップサイズの基板からSEMI規格12インチまで対応しております。
CMPプロセス
材料の物性、表面粗さ、厚さ寸法（反りなど）、清浄度など、お客様のご要望に合わせた内容でお応えします。中量生産～テスト（プロセス開発、試作開発）等の小ロットまで、幅広い用途でご利用頂けます。
また、CMP工程だけでなく、その後工程に位置する精密洗浄や、常温接合の対応も可能です。
CMPプロセス例
- 単結晶
- 膜厚抑制
- ダマシン（埋め込み工程）
- 多結晶
- 粗さ改善
- ハイブリッド接合
- 焼結体
- 段差解消
各種素材に対応
Mipoxの研磨加工サービスは、多種多様な研磨加工対象物に対応しています。
単結晶シリコンや各種化合物材料などの一般的な半導体材料は勿論、複合材や有機系材料、各用途で開発が進められている新素材などにも積極的に対応いたします。
特にセラミック材料（焼結体、多結晶材料用途）の実績が豊富であり、多くの技術的ブレイクスルー事例を有する、弊社研磨加工サービスの中核を担う代表的な用途で御座います。
究極の表面粗さの創出
Mipoxでは、SiC、GaN等の化合物半導体基板から、SiN、AlN、MgO/Al2O3等の多結晶セラミックス材料まで、一般的に研磨加工が困難とされる難削材（難研磨材）に対し、高精度な表面粗さを創出致します
また、ZYGO、AFM等の精密測装置や外観検査装置「Micro-Max」も保有しているため、正確に表面状態を把握することが出来ます。オシレーション機構やヘッド回転機構など独自の機構を備えた研磨フィルム式平面研磨装置と当社の研磨フィルムとの組み合わせにより、研削加工レベルの高レート研磨～鏡面処理まで対応し、接合に適したウェーハ平面を実現いたします。
実績素材
各種セラミック材料、焼結体、多結晶材料
SiC（炭化ケイ素）、AlN（窒化アルミニウム）Si3N4（窒化ケイ素）、Al2O3（酸化アルミニウム）、YAG（イットリウムアルミニウムガーネット）、PZT（チタン酸ジルコン酸鉛）、MgAl2O4などの複合材料など、各種セラミック材料。
金属膜
Cu（銅）、Al（アルミニウム）、Au（金）、Pt（プラチナ）、Ru（ルテニウム）、Mo（モリブデン）、Ni（ニッケル）、Ag（銀）、Ti（チタン）、W（タングステン）、Fe-Ni（鉄-ニッケル合金）、他Ni-P（ニッケル-リン合金）、Cr（クロム）等メッキ表面等
素材例：各種セラミック材料、焼結体、多結晶材料
従来まで平滑化が困難とされてきた各種セラミック材料（焼結体、多結晶材料）に対し、ワンランク上の高精度表面粗さ（結晶粒段差解消）を達成いたします。
結晶粒段差解消により、後工程に控える接合処理でのボイド低減や接合強度向上、ヒートシンクの観点での改善、光学的特性向上など、多くのメリットが期待されます。
一般的なセラミック材料研磨加工面
Mipox研磨加工後 セラミック材料表面状態
スラリー
難加工材料向け各種スラリー
Mipoxの研磨フィルム製造で培った調合技術を活かし、主に研磨加工サービス向けとして専用スラリーの自社製造を行っております。お客様の加工対象物に適した砥粒、薬液などを適切に配合しカスタマイズ品を作成いたします。
ご要望に応じ、プロセス移管（技術移管）の際に、お客様の製造ラインへ適用をいたします。
また、弊社研磨加工サービス向けの専用スラリー開発の他、スラリー単体での提供（販売）も一部対応しております。他社スラリーメーカーのラインナップにない特殊品や、少量でのご依頼などに対応しております。
研磨加工サービスに関するお問合せ
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