化合物半導体材料加工に求められる要件

SiConSi、GaNonSi、GaNonSiC等、基板上にGaNやSiCなどのヘテロエピタキシャル成長を施したテンプレート基板は、大口径化が容易でありLEDやパワー半導体製造の大幅なコストダウンを図れるのみならず、既存のSiデバイス製造ラインをそのまま流用出来る等多くのメリットを有する大変注目されている技術（基板）ですが、そのメリットを享受するためには、テンプレート基板のエッジ部に付着した表層膜の除去が不可欠です。テンプレート基板は、エッジ部の欠陥がウェーハ破損の致命的な原因となる事が多いため、それを予め除去する事で大幅な歩留まり改善効果を得られます。

Mipoxの研磨加工サービスは各テンプレート基板に対し、繊細な表層（エピ）膜へ与える負荷を最小限に抑える事が可能な研磨フィルム方式によるエッジ脱膜加工を行っております。

基板（下地）を露出させ、かつ拡散層の除去を行う事で、既存のSiデバイス製造ラインを汚染させることなく化合物半導体デバイス（ウェーハ）を流動可能なウェーハを得られます。

材料（材質）名：
GaNonSi、GaNonSiC、SiConSi、SiConSiC 　等