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大口径 SiC 8インチウェーハノッチ・エッジ面取り加工
合理的なノッチ・エッジ面取りアプリケーションを提供
各種半導体ウェーハ向けに多くの実績を有する、弊社独自の研磨フィルム方式ノッチ・エッジ面取り工法を、SiC8インチウェーハ向けにカスタマイズ。
低ダメージと高効率を両立する研磨フィルム方式は、特にノッチ部の面取り加工に高い加工効率を示す合理的な工法として好評を頂いております。
ご要望に応じ、サンプル加工から少量～量産対応まで、柔軟な研磨加工サービスをご提供しております。
研磨フィルム式ノッチ・エッジ面取り加工
SiCは、ダイヤモンド、炭化ホウ素に次ぐ、高い硬度を示す難加工材（難削材）です。そのため、従来の砥石研削工法では適当な生産性を得る事が難しく、特に砥石形状の制約を受けるノッチ部の面取り加工については、砥石が著しく摩耗し連続した研削加工が出来ないなど、大きな問題を抱えていました。
Mipox独自の研磨フィルムと専用の面取り加工装置を適用する事により、この問題を解決。高い生産性を達成する、合理的な面取り加工方法を確立しました。
フィルム研磨方式の強み
研磨材の摩耗を気にすることなく、連続した面取り加工が可能。ウェーハ間のバラつきが発生しにくい。
元々刻まれたノッチ形状に追従、形を崩さず面取り加工を施す事が可能。インゴット円筒研削工程でのノッチ加工寸法適正化や、レーザー切断方式と組み合わせる事で、高効率プロセスを構築。
砥石研削方式との比較で、約5倍の圧倒的スループットを誇る。 （※2024年5月当社調べ）
倣い加工方式（一定加圧方式による面取り加工）のため、結晶構造由来の破損が発生し難い。
一定加圧方式の研磨機構のため、ノッチからの劈開破損が生じにくい。
砥石の位置合わせなど、細かな設定作業が不要。習熟度に依存せず、簡単なセッティングで扱いが容易。
クリーン仕様（洗浄機付き仕様装置）の提供も可能。パーティクル付着を抑えた装置構成にも対応出来るため、適用する先の工程を問わない。
ノッチ加工前
ノッチ加工
スライシング加工
面取り加工
SiCウェーハ ノッチ部 面取り加工
SiC ウェーハノッチ部 面取り加工前
SiC ウェーハノッチ部 面取り加工後
SiCウェーハ エッジ部（外周部）面取り加工
SiC ウェーハエッジ部 面取り加工前
SiC ウェーハエッジ部 面取り加工後
（Rough/Fine 面取り加工）
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