東海国立大学機構名古屋大学 原田俊太准教授（未来材料・システム研究所）とMipox株式会社による共同研究の成果が学術誌「Journal of Applied Crystallography」に掲載されました。

Mipox株式会社は名古屋大学原田准教授と半導体材料の品質を低下させる結晶欠陥（転位）を可視化しSiCを始めとする半導体基板中の転位の種類や位置を非破壊で自動的に検出するシステム、およびデバイスの歩留り低下をもたらすキラー欠陥を特定するシステムの開発に取り組んでおり、本論文はその成果の一部となります。

是非、誌面にて論文内容をご確認ください。
"Observation of in-plane shear stress fields in off-axis SiC wafers by birefringence imaging"
J. Appl. Cryst. (2022). 55, 1029-1032
https://doi.org/10.1107/S1600576722006483