発光デバイスや高周波（高速通信用）デバイス、電力変換デバイスに用いられるIII-V 族を中心とした化合物半導体（一部の酸化物材料、同用途で使用されるダイヤモンド材料を含む）は、シリコン（Si）では達成出来ない多くの機能・性能を実現させる事が出来る素材として期待されており、Mipox受託研磨においても近年依頼数が急増している用途です。
材料（材質）名：
SiC、GaN、InP、GaP、GaAs、Ga2O3、GaSb、ZnS、ZnTe 等
特に、究極の次世代パワー半導体として称されている「ダイヤモンド」は、半導体材料として現在主流のSiや、SiC、GaN等と比較して高い絶縁耐圧性能や、理想的な熱伝導率（放熱特性）を誇る優れた材料であるため、様々な分野からその実現（社会実装）が期待されています。ダイヤモンドは、あらゆる物質の中で最も硬い素材である事はよく知られていますが、その反面、割れやすい、欠けやすい等、脆弱な物性を示すため、半導体材料として使える状態にするための諸加工がとても難しい素材の一つですが、独自の「研磨フィルム式エッジ研磨工法」を用いた「ダイヤモンドウェーハのエッジトリートメント加工技術」の確立により、合理的なエッジ加工が可能となり、Mipox受託研磨サービスへ展開をしております。
・エッジ研磨用途
Mipox受託研磨では、特にエピ膜成長時に問題となる端部欠陥の除去や、その影響軽減に効果を発揮するエッジ面取り加工及びミラー処理を得意としております。 勿論、通常の大口径サイズのウェーハからの切り出し（サイズダウン・インチダウン）～面取り加工も承っており、素材問わずウェーハへのダメージを最小限に抑える事が可能な研磨フィルム工法にて、少量から量産加工まで柔軟に対応致しております。
・表面研磨（CMP）用途
通常のラッピング加工仕上げ～CMP（エピレディ）仕上げまで、御用途に合わせ最適な工法にてご要求の精度で対応致します。ハーフインチ等の特殊形状基板や、小片やチップ形状（破損したウェーハ等）のCMP研磨加工にも対応致します。
