発光デバイスや高周波（高速通信用）デバイス、電力変換デバイスに用いられるIII-V 族を中心とした化合物半導体（一部の酸化物半導体材料の一部を含む）は、シリコン（Si）では達成出来ない多くの機能・性能を実現させる事が出来る素材として期待されており、Mipox受託研磨においても近年依頼数が急増しております。
材料（材質）名：
SiC、GaN、InP、GaP、GaAs、Ga2O3、GaSb、ZnS、ZnTe 等
・エッジ研磨用途
Mipox受託研磨では、特にエピ膜成長時に問題となる端部欠陥の除去や、その影響軽減に効果を発揮するエッジ面取り加工及びミラー処理を得意としております。 勿論、通常の大口径サイズのウェーハからの切り出し（サイズダウン・インチダウン）～面取り加工も承っており、素材問わずウェーハへのダメージを最小限に抑える事が可能な研磨フィルム工法にて、少量から量産加工まで柔軟に対応致しております。
・表面研磨（CMP）用途
通常のラッピング加工仕上げ～CMP（エピレディ）仕上げまで、御用途に合わせ最適な工法にてご要求の精度で対応致します。ハーフインチ等の特殊形状基板や、小片やチップ形状（破損したウェーハ等）のCMP研磨加工にも対応致します。
