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研磨事例-シリコンウェーハ

ウェーハエッジ加工に
求められる要件

半導体や各種センサ等の製造に用いられるシリコンウェーハについて、Mipox受託研磨はプライムウェーハ製造の各工程~デバイス製造(前工程・後工程)~リクレーム(再生)用途まで、各用途(各工程・ご要求)毎に自社製研磨材を用いた独自の加工方法を中心に、様々なご要望に対応出来る体制を整えております。

材料(材質)名:
Si、シリコンウエーハ各種、各種接合(貼り合わせ)ウェーハ、SOI、デバイスウェーハ(パターンウェーハ)、再生ウェーハ 等

シリコンウェーハ

・プライムウェーハ製造用途

アズスライスウェーハへのチャンファー形成等の一般的な面取り加工用途から、CVD成膜後のエッジ不要膜除去(マスキング処理+HFエッチング代替)、ノッチ部の研削痕(ダメージ)除去、テラス形成加工等に対応しております。 特にエッジ部CMP(スラリー方式によるエッジミラー工程)負荷を大幅に軽減させる効果を得られる中間工程「研磨フィルム式エッジポリッシュ」は多くの実績を有しており、量産でのご依頼に対応できる体制を整えております。

・デバイス製造(後工程)用途
保護フィルム(BGテープ)貼付け加工~薄化研削工程(BG)でのウェーハ破損防止に効果を発揮するエッジトリミング加工をはじめ、BG~洗浄~テープ剥離~ダイシング~トレー詰めに至るまで一貫してお受け致します。また、薄化工程に用いられる無アルカリガラス製等のサポート基板のエッジ部修正(リペア)加工や、パワー半導体用途でのニーズが多いBG後のエッジ面取り(破損防止)加工も承っております。

デバイス製造

・リクレーム(再生)用途

シリコンウェーハ再生の工法として一般的なエッチング方式での脱膜が困難なカーボン系の膜や、除去に手間がかかるEpi膜等が絡むエッジ部の処理について、Mipox受託研磨は、独自の研磨フィルム方式による脱膜処理を適用し、量産対応可能な体制を整えております。 また、膜表面に微細な歪(ダメージ)を付加する事でエッチング処理効率を向上させる「エッチングアシスト処理」にも対応しております。

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