マイポックス、12インチウェーハ対応のCMP加工ラインを構築

マイポックス、12インチウェーハ対応のCMP加工ラインを構築
独自プロセスと「接合工程」の拡充により、次世代半導体製造を支える「トータルファンドリーサービス」の提供へ

2026年3月12日

イノベーションに磨きをかけるマイポックス株式会社（代表取締役社長：渡邉淳、証券コード：5381、以下「マイポックス」）は、先端半導体製造の主流となる12インチ（300mm）ウェーハに対応したCMP（化学機械平坦化）加工ラインを構築し、本格稼働を開始したことをお知らせいたします。

本ラインの構築により、従来の試作案件を中心とした小中口径ウェーハに加え、先端デバイス領域で需要が高まる12インチウェーハのCMP研磨加工体制を大幅に強化いたしました。さらに、「接合（ボンディング）工程」の設備拡充を並行して推進しています。研磨から接合までを一貫して担う「トータルファンドリーサービス」の提供を通じて、次世代半導体製造における技術的課題の解決に寄与してまいります。

■背景：デバイスの高性能化に伴う12インチCMP市場への対応

AI・デジタル社会の進展や次世代モビリティの普及を背景に、半導体デバイスの高性能化と製造効率の向上が求められています。当社はこれまで培ってきた超精密研磨技術を基盤に、市場ニーズが極めて高い12インチウェーハのCMP領域へ本格参入し、最先端半導体の進化を支える技術基盤としての役割を担います。

■マイポックス独自の優位性：「塗る・切る・磨く」の技術融合

当社の強みは、「塗る」「切る」「磨く」の3つのコア技術を高度に融合させ、「研磨材（剤）開発製造」「機能性塗布」「精密研磨加工」の3事業を中心に展開している点にあります。

「磨く」を通じて「研磨材開発」と「高度加工」の双方に精通したメーカー系ファンドリーとして、以下の価値を提供します。

自社開発スラリーによる最適プロセスの構築：研磨材（剤）メーカーとしての知見を活かし、特定の材料や目標精度に最適化した研磨剤（スラリー）を自社開発。高度な平坦度と低ダメージの両立を、独自のCMPプロセスで実現します。
高度な平坦化が要求される多様な素材・案件への対応：Cu（銅）ダマシン案件をはじめ、接合用途向けの表面粗さ改善、さらには各種機能性材料を用いたウェーハ製造案件など、極めて高度な平坦化技術を要するプロセスに幅広く対応します。材料特性に応じた最適な研磨ソリューションを提供し、最先端デバイスの開発・量産を支援します。
12インチSiC（炭化ケイ素）ウェーハ受託研磨の開始：大口径化が進むSiCウェーハについて、次世代規格として市場投入が進められている12インチウェーハの取扱いを開始いたします。SiC8インチウェーハ向けノッチ/エッジ面取り研磨加工を主とした当社独自のSiCウェーハ研磨加工実績を12インチウェーハに展開。合理的なSiC12インチウェーハ製造ソリューションを提供いたします。

■今後の展望：接合工程の拡充と3次元実装への寄与

マイポックスは現在、CMP工程の次段階である12インチ対応の接合（ボンディング）体制の構築を推進しています。

体制確立予定： 2027年3月期（来期）中
提供価値：「研磨」から「接合」までの一貫体制を構築することで、TSV（シリコン貫通電極）などを活用した次世代3次元実装への対応を可能にします。これにより、チップの積層化など最先端のパッケージング技術を求めるお客様の課題解決に寄与いたします。

■表面加工の力で、世界を具現化する

マイポックスは、従来の「受託研磨加工」という枠組みを超え、材料開発から精密加工、そして接合・実装支援までを網羅する「トータルファンドリーサービス」を確立してまいります。持続可能な社会の実現に向け、お客様のビジョンを「塗る・切る・磨く」の技術で具現化し、半導体産業の新たな価値創造に貢献します。

【用語解説】

CMP（Chemical Mechanical Planarization：化学機械平坦化）：研磨液による化学的な作用と物理的研磨を組み合わせ、表面をナノレベルで平坦化する技術。
TSV（Through-Silicon Via：シリコン貫通電極）：シリコンウェハを垂直に貫通する電極のこと。従来のワイヤボンディングによる接続に比べ、配線長を大幅に短縮できるため、チップ間の高速伝送と省電力化、および小型化を可能にする3次元実装のキーテクノロジー。
3次元実装：複数のチップを垂直方向に積み重ねて配置する最先端のパッケージング技術。小型化、高速化、省電力化を実現。