東海国立大学機構名古屋大学 原田俊太准教授（未来材料・システム研究所）との共同研究成果をまとめた論文が掲載されました。パワーデバイスSiCウエハの偏光観察による結晶欠陥評価技術に関する最新の報告です。

掲載雑誌：Journal of Crystal Growth
論文名：Advances in defect characterization techniques using polarized light observation in SiC wafers for power devices
著者：Shunta Harada and Kenta Murayama
論文URL: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127982
※論文はオープンアクセスでどなたでも閲覧できます。

共同研究「半導体製造の生産性を向上させるキラー欠陥自動検査システムの開発」は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「官民による若手研究者発掘支援事業」に採択されております。