東海国立大学機構名古屋大学との共同研究「半導体製造の生産性を向上させるキラー欠陥自動検査システムの開発」が国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「官民による若手研究者発掘支援事業」に採択されたことをお知らせします。
■背景
現在、「SiC（炭化ケイ素）」や「GaN（窒化ガリウム）」を始めとした次世代半導体材料の開発が世界中で進められていますが、一部を除く半導体基板には未だ多くの転位（結晶欠陥）が含まれています。特に、デバイスの性能・信頼性を低下させる「キラー欠陥」によるデバイスの歩留り（投入した素材量に対する製品生産量）低下の課題は、「現在の半導体材料の主流であるSiの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待されているSiC」の価格を高止まりさせ、その普及を妨げています。
■取り組み内容
今回採択を受けた本共同研究では、半導体材料の品質を低下させる結晶欠陥（転位）を可視化する「複屈折イメージング」により転位の歪み分布（マッピング）をとらえます。そして、シミュレーションと機械学習を用いることにより、SiCを始めとする半導体基板中の転位の種類や位置を非破壊で自動的に検出するシステム、およびデバイスの歩留り低下をもたらすキラー欠陥を特定するシステムを開発。これらのシステムは、半導体基板やパワーデバイスの飛躍的な生産性向上に寄与し、将来的に日本のパワー半導体製造の標準装備となることが期待されます。開発されたシステムは、昨年リリースした当社製品である結晶転位高速観察装置「XS-1 Sirius」に実装予定で、今後も進捗に合わせて随時反映予定です。
Mipox株式会社は、企業使命である「塗る・切る・磨くで世界を変える」に基づき、今回採択された共同研究を主とした世界最高レベルの転位可視化技術を融合させ、地球温暖化防止（省エネ）、次世代電力社会構築に不可欠なSiC、GaN等の化合物半導体ウェハ製造技術の向上に貢献してまいります。
