SiConSi/SiC、GaNonSi/SiC等、基板上にGaN・SiCのヘテロエピタキシャル成長を施したテンプレート基板は、大口径化が容易でありLEDやパワー半導体製造の大幅なコストダウンを図れるのみならず、既存のSiデバイス製造ラインをそのまま流用出来る等多くのメリットを有する大変注目されている技術（基板）ですが、そのメリットを享受するためには、テンプレート基板のエッジ部に付着した表層膜の除去が不可欠です。
Mipox受託研磨は各テンプレート基板に対し、繊細な表層（エピ）膜へ与える負荷を最小限に抑える事が可能な研磨フィルム方式によるエッジ脱膜加工を行っており、基板（下地）露出、及び 拡散層の除去を行う事で、既存のSiデバイス製造ラインを汚染させることなく化合物半導体デバイス（ウェーハ）を流動頂くことが可能です。
材料（材質）名：
GaNonSi、GaNonSiC、SiConSi、SiConSiC 等
