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受託研磨事例

Mipoxは約90年に渡り培ってきた独自の超精密研磨材の製造技術・品質管理技術・プロセス開発技術を活かし、半導体を筆頭とする精密電子用途~3Dプリント造形物の表面平滑化処理に至るまで、様々な素材・加工対象物に対し、研磨加工サービス(受託研磨加工)を提供しております。

シリコンウェーハ

半導体や各種センサ等の製造に用いられるシリコンウェーハについて、Mipox受託研磨はプライムウェーハ製造の各工程~デバイス製造(前工程・後工程)~リクレーム(再生)用途まで、各用途(各工程・ご要求)毎に自社製研磨材を用いた独自の加工方法を中心に、様々なご要望に対応出来る体制を整えております。

材料(材質)名:
Si、シリコンウエーハ各種、各種接合(貼り合わせ)ウェーハ、SOI、デバイスウェーハ(パターンウェーハ)、再生ウェーハ 等

シリコンウェーハ

・プライムウェーハ製造用途

アズスライスウェーハへのチャンファー形成等の一般的な面取り加工用途から、CVD成膜後のエッジ不要膜除去(マスキング処理+HFエッチング代替)、ノッチ部の研削痕(ダメージ)除去、テラス形成加工等に対応しております。 特にエッジ部CMP(スラリー方式によるエッジミラー工程)負荷を大幅に軽減させる効果を得られる中間工程「研磨フィルム式エッジポリッシュ」は多くの実績を有しており、量産でのご依頼に対応できる体制を整えております。

・デバイス製造(前工程)用途

酸化膜(SiO2膜)、窒化膜(SiN)等の代表的な膜や、炭化珪素膜(SiC)、窒化ガリウム膜(GaN)、配線・プラグに用いられる各種金属膜等を問わず、各成膜工程でエッジ部に堆積する不要膜を除去しプライムウェーハ同等のエッジ品質に復旧させることが可能です。 他、大口径サイズのウェーハからの切り出し(サイズダウン・インチダウン)ウェーハの面取り形成、CMP前のエッジクリーニング、接合(接着)ウェーハの位置ずれ修正・ノッチ位置ずれ修正加工等、半導体製造プロセスの様々な工程に対応しております。 デバイス保護(レジスト・保護膜形成)~エッジ研磨加工~洗浄までワンストップで対応致します。

・デバイス製造(後工程)用途
保護フィルム(BGテープ)貼付け加工~薄化研削工程(BG)でのウェーハ破損防止に効果を発揮するエッジトリミング加工をはじめ、BG~洗浄~テープ剥離~ダイシング~トレー詰めに至るまで一貫してお受け致します。また、薄化工程に用いられる無アルカリガラス製等のサポート基板のエッジ部修正(リペア)加工や、パワー半導体用途でのニーズが多いBG後のエッジ面取り(破損防止)加工も承っております。

デバイス製造

・リクレーム(再生)用途

シリコンウェーハ再生の工法として一般的なエッチング方式での脱膜が困難なカーボン系の膜や、除去に手間がかかるEpi膜等が絡むエッジ部の処理について、Mipox受託研磨は、独自の研磨フィルム方式による脱膜処理を適用し、量産対応可能な体制を整えております。 また、膜表面に微細な歪(ダメージ)を付加する事でエッチング処理効率を向上させる「エッチングアシスト処理」にも対応しております。

化合物半導体材料

発光デバイスや高周波(高速通信用)デバイス、電力変換デバイスに用いられるIII-V 族を中心とした化合物半導体(一部の酸化物半導体材料の一部を含む)は、シリコン(Si)では達成出来ない多くの機能・性能を実現させる事が出来る素材として期待されており、Mipox受託研磨においても近年依頼数が急増しております。

材料(材質)名:
SiC、GaN、InP、GaP、GaAs、Ga2O3、GaSb、ZnS、ZnTe 等

テンプレート基盤

・エッジ研磨用途

Mipox受託研磨では、特にエピ膜成長時に問題となる端部欠陥の除去や、その影響軽減に効果を発揮するエッジ面取り加工及びミラー処理を得意としております。 勿論、通常の大口径サイズのウェーハからの切り出し(サイズダウン・インチダウン)~面取り加工も承っており、素材問わずウェーハへのダメージを最小限に抑える事が可能な研磨フィルム工法にて、少量から量産加工まで柔軟に対応致しております。

・表面研磨(CMP)用途

通常のラッピング加工仕上げ~CMP(エピレディ)仕上げまで、御用途に合わせ最適な工法にてご要求の精度で対応致します。ハーフインチ等の特殊形状基板や、小片やチップ形状(破損したウェーハ等)のCMP研磨加工にも対応致します。

テンプレート基板用途

SiConSi/SiC、GaNonSi/SiC等、基板上にGaN・SiCのヘテロエピタキシャル成長を施したテンプレート基板は、大口径化が容易でありLEDやパワー半導体製造の大幅なコストダウンを図れるのみならず、既存のSiデバイス製造ラインをそのまま流用出来る等多くのメリットを有する大変注目されている技術(基板)ですが、そのメリットを享受するためには、テンプレート基板のエッジ部に付着した表層膜の除去が不可欠です。 
Mipox受託研磨は各テンプレート基板に対し、繊細な表層(エピ)膜へ与える負荷を最小限に抑える事が可能な研磨フィルム方式によるエッジ脱膜加工を行っており、基板(下地)露出、及び 拡散層の除去を行う事で、既存のSiデバイス製造ラインを汚染させることなく化合物半導体デバイス(ウェーハ)を流動頂くことが可能です。

材料(材質)名:
GaNonSi、GaNonSiC、SiConSi、SiConSiC 等

テンプレート基盤

ファインセラミックス(多結晶・焼結体・複合)材料

ファインセラミックスは放熱特性・靭性・等それぞれ特徴を有し、様々な用途で使われています。Mipox受託研磨は、各ファインセラミックス素材に対し、最表面の結晶粒界段差を極限まで抑えた新たな次元の表面精度(研磨面粗さ)を提供しております。通常の研磨加工では結晶粒界段差が助長され大きくなりやすいファインセラミックス材料に対して、Ra 1~0.1nm(もしくはそれ以下)の精度を達成することが可能です。これにより、異種材料との接合が容易になり、その組合せ次第で新たな機能・性能を備えたハイブリッド基板を創出出来る他、後に控える成膜工程の負荷軽減(必要成膜量の低減)等、各素材の用途新規創出に貢献します。

材料(材質)名:
AlN、Si3N4、SiC、Al2O3、ZrO2、BaTiO3、PZT、Si、Al2O3/YAG共晶体 等

ファインセラミック

酸化物半導体関連

LT(LiTaO3)、LN(LiNbO3)に代表される酸化物半導体は、SAWデバイスを代表とする高周波フィルターの材料として著名であり、スマートフォン等の通信機器には不可欠な素材(デバイス)として、その生産量・出荷量共に急増している材料です。Mipoxはこの将来有望なSAWデバイス市場に向けた取組みとして、従来のSAWデバイスが有する欠点(温度変化によって通過帯域が移動してしまう)を補う事が出来、温度安定性に優れた次世代SAWデバイスの実現に不可欠とされる「複合基板技術」に特化した対応を行っております。 LT、LNと接合する各材料(素材)に対し、複合化(接合)に耐える高精度表面を創出します。

材料(材質)名:
LiTaO3(LT)、LiNbO3(LN)と接合を行う各種基板 等

酸化物半導体

金属材料各種

Mipox受託研磨は、一般的に高品位な研磨面を得ることが難しいとされている金(Au)やアルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)等の金属材料に対し、Ra 1nm以下の研磨加工を施す事が可能です。特にAu、ルテニウム(Ru)については、弊社が独自に開発した研磨工法を適用し、半導体製造工程(配線工程)向けのCMPプロセスを確立している他、医療用センサ(バイオ用途)、マイクロマシン用等の加工実績を多数蓄積しております。 他、一般的な用途としては、超硬合金(WC)製部品の研磨加工、インクジェットノズル製造に用いられるSUS材の事例が多く、特にSUS材については厚さ数十μmの箔材をスクラッチフリーの鏡面に仕上げられる研磨技術を有しております。

材料(材質)名:
SUS、Cu、Al、Au、Pt、Ru、Mo、Ni、Ag、Ti、W、Fe-Ni、他 Ni-P、Cr等メッキ表面 等

金属材料各種

ガラス材料

Mipox受託研磨は、半導体製造時に使用されるサポートガラスの再生加工~微弱光撮影用機材向け光学部品の研磨加工等の特殊用途まで、様々なガラス製部品のエッジ研磨加工に対応しております。 スマートフォン等各用途に用いられるガラス薄板の強度向上を目的としたエッジ研磨テスト加工等も承っております。

材料(材質)名:
ガラス材料各種

ガラス材料

3Dプリント造形物各種

現在主流となっている3Dプリント造形方式はフィラメントを用いたFDM方式、UV硬化樹脂を使用したインクジェット方式、粉体焼結方式など複数存在していますが、いずれの方式においても造形物表面に「積層痕」が残存する現象は避けられず、造形物の質感を損ねる原因となっています。Mipox受託研磨は、3Dプリント造形物用に開発した自社製研磨材「TuneD3」(製品ページはこちら)を使用した造形物表面の研磨加工サービスを展開しており、造形方式や素材を問わず柔軟に対応しております。研磨加工により貴重な造形物(作品)の価値を高めます。

材料(材質)名:
ABS、PLA、ポリアミド(ナイロン)、ウルテム、Ti、SUS 等 形状問わず

3Dプリント造形物

その他材料、長尺(フープ)材

超電導線材の金属基板となるSUS・ハステロイを中心に、数百m長のフープ材の研磨加工も承っております。

材料(材質)名:
SUS、ハステロイ、銅クラッド材 等

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