富士電機株式会社の論文誌「富士電機技報 第92巻第4号(2019年12月)」に、当社の結晶転位高感度可視化装置「XS-1」を用いたSiC基板の結晶欠陥評価に関する論文が掲載されました。エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体が特集されており、論文「透過型偏光顕微鏡を用いたSiC基板の結晶欠陥評価」にてご紹介頂いております。掲載論文: 透過型偏光顕微鏡を用いたSiC基板の結晶欠陥評価
<参考>富士電機技報 第92巻第4号(2019年12月)