9月末より開催されていたSiC（シリコンカーバイド）を主とする半導体の国際会議「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)」が無事に終了しました。耐電圧、小型化に適しているSiCを素材としたパワーデバイス型半導体は、車載、電車、発電所などの用途での活用が期待されており、基板メーカーをはじめとする多くの半導体関連企業や学会関係者の方々が本会議にご来場されました。 次世代パワー半導体や高速無線通信分野に於いて付加価値の創出を推進しているMipoxも、登壇ならびに出展の機会を頂きました。
登壇の場では、Mipoxの強みである半導体ウェーハの研磨加工から欠陥観察までの一貫した受託研磨サービスをご紹介いたしました。特に欠陥観察では、Mipoxが保有する非破壊でウェーハの欠陥状態の観察が可能な検査装置「XS-1」が、半導体の製造工程におけるロスの発生を大幅に軽減することをアピールし、出展では実際に「XS-1」のデモンストレーションを行い、多くの方々にお越し頂きました。​
同分野においてMipoxの技術が大きな貢献を果たせるように、今後も付加価値を創出する取り組みを推進してまいります。

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出展情報「ICSCRM 2019」