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GaN-on-Si 基板に対するフィルム研磨方式エッジポリッシュの有効性について②

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窒化物半導体は、半導体材料として一般的であるSi(単結晶シリコン)を大きく上回る性能・特性を有するデバイスを製造出来ることで期待されていますが、その窒化物半導体の一種であるGaN(GaN結晶)を、Sウェーハ上に成長させるGaN-on-Si(ガン-オン-シリコン)技術は、量産性に優れ安価に高出力デバイスを製造できる可能性を有しているため特に注目を集めています。

GaN-on-Siは、通常2”~3”程度の小径サイズである単結晶GaNと比較して、6”~8”の大口径基板を容易に製造できることに加え、既存工場のSiデバイスを製造するプロセスラインをそのまま流用(小径単結晶GaN専用の新たな設備投資が不要)できるメリットを有しています。

しかし、既存のSiデバイスラインを流用する場合特に基板のエッジ部分に成長したGaN層が汚染源となり、半導体製造装置内のハンドリング部を中心にGa汚染させてしまう問題があることが確認されており、GaN-on-Siそのままの状態で基板を流動させることが出来ません。加え、GaNは化学的に安定であり脱膜や洗浄処理で一般的なエッチング技術が適用しにくい問題(GaN層を除去し難い)も有しています。

Mipoxの研磨フィルム式エッジポリッシュ技術は、Siウェーハエッジ部に強固に付着している各種の膜(層)を、メカニカル作用で容易に除去・脱膜処理することが可能であるため特にこのGaN-on-Si基板に多く適用されています。さらに、エッジミラー処理(鏡面化)も施すことができ、脱膜後エッジ部分へのパーティクル再付着防止、GaN-onSi基板の強度向上・破損防止・歩留まり向上の効果を付加すること可能です。

GaN-on-Si基板のご運用に、Mipoxの「研磨フィルム式エッジポリッシュ技術」を是非ご活用下さい。

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